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CSD15380F3

eeworld网站中关于CSD15380F3有2个元器件。有CSD15380F3、CSD15380F3T等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
CSD15380F3 Texas Instruments(德州仪器) 20-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 下载
CSD15380F3T Texas Instruments(德州仪器) 20-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 下载
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CSD15380F3T 、 CSD15380F3 下载文档
CSD15380F3资料比对:
型号 CSD15380F3T CSD15380F3
描述 20-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 20-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 GRID ARRAY, R-PBGA-B3 GRID ARRAY, R-PBGA-B3
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 0.5 A 0.5 A
最大漏源导通电阻 4 Ω 4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.17 pF 0.17 pF
JESD-30 代码 R-PBGA-B3 R-PBGA-B3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 BUTT BUTT
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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