| 型号 |
CSD15380F3T |
CSD15380F3 |
| 描述 |
20-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 |
20-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 |
| Brand Name |
Texas Instruments |
Texas Instruments |
| 是否无铅 |
不含铅 |
不含铅 |
| 是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
| 厂商名称 |
Texas Instruments(德州仪器) |
Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 |
GRID ARRAY, R-PBGA-B3 |
GRID ARRAY, R-PBGA-B3 |
| Reach Compliance Code |
compliant |
compliant |
| Factory Lead Time |
6 weeks |
6 weeks |
| 配置 |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压 |
20 V |
20 V |
| 最大漏极电流 (ID) |
0.5 A |
0.5 A |
| 最大漏源导通电阻 |
4 Ω |
4 Ω |
| FET 技术 |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) |
0.17 pF |
0.17 pF |
| JESD-30 代码 |
R-PBGA-B3 |
R-PBGA-B3 |
| 湿度敏感等级 |
1 |
1 |
| 元件数量 |
1 |
1 |
| 端子数量 |
3 |
3 |
| 工作模式 |
ENHANCEMENT MODE |
ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
| 封装形式 |
GRID ARRAY |
GRID ARRAY |
| 峰值回流温度(摄氏度) |
260 |
260 |
| 极性/信道类型 |
N-CHANNEL |
N-CHANNEL |
| 表面贴装 |
YES |
YES |
| 端子形式 |
BUTT |
BUTT |
| 端子位置 |
BOTTOM |
BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 |
SWITCHING |
SWITCHING |
| 晶体管元件材料 |
SILICON |
SILICON |