| 器件名 |
厂商 |
描 述 |
功能 |
| C3M0065100J-TR |
Wolfspeed (Cree) |
表面贴装型 N 通道 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) TO-263-7 |
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| C3M0065100K |
Wolfspeed (Cree) |
通孔 N 通道 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) TO-247-4L |
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| C3M0065090D |
PulseLarsen Antennas |
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 |
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| C3M0065090D |
Cree(科瑞) |
漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 5mA 漏源导通电阻:78mΩ @ 20A,15V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 SiCMOS管,N沟道,900V,36A,78mΩ@20A,15V |
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| C3M0065090D |
Wolfspeed (Cree) |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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| C3M0065090J |
PulseLarsen Antennas |
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 |
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| C3M0065090J |
Cree(科瑞) |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
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| C3M0065090J-TR |
Cree(科瑞) |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
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| C3M0065090J-TR |
PulseLarsen Antennas |
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 |
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| C3M0065100J |
PulseLarsen Antennas |
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 |
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| C3M0065100J |
Cree(科瑞) |
Silicon Carbide Power MOSFET C3M MOSFET Technology |
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| C3M0065100J-TR |
PulseLarsen Antennas |
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
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| C3M0065100K |
PulseLarsen Antennas |
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
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| C3M0065100K |
Cree(科瑞) |
漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 5mA 漏源导通电阻:78mΩ @ 20A,15V 最大功率耗散(Ta=25°C):113.5W(Tc) 类型:N沟道 碳化硅MOS,高频大功率应用,低损耗 |
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