| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BU932RP | ISC | Silicon NPN Power Transistor | 下载 |
| BU932RP | ST(意法半导体) | 15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 | 下载 |
| BU932RP | Inchange Semiconductor | Transistor | 下载 |
| BU932RPFI | ISC | Silicon NPN Power Transistor | 下载 |
| BU932RPFI | Inchange Semiconductor | Transistor | 下载 |
| BU932RPFI | ST(意法半导体) | 15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| BU932RP 、 BU932RPFI | 下载文档 |
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| 型号 | BU932RPFI | BU932RP |
|---|---|---|
| 描述 | 15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 | 15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 最大集电极电流 (IC) | 15 A | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 450 V | 450 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 | 300 |
| JEDEC-95代码 | TO-218 | TO-218 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 60 W | 125 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.8 V | 1.8 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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