| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BSC018NE2LSI | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 下载 |
| BSC018NE2LSIATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET LV POWER MOS | 下载 |
| BSC018NE2LSIXT | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 下载 |
| 型号 | BSC018NE2LSI | BSC018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | MOSFET LV POWER MOS |
| 是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Is Samacsys | N | N |
| 雪崩能效等级(Eas) | 45 mJ | 45 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 25 V | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 29 A | 29 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0024 Ω | 0.0024 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 5 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 400 A | 400 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved