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BSC018NE2LSI

eeworld网站中关于BSC018NE2LSI有3个元器件。有BSC018NE2LSI、BSC018NE2LSIATMA1等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
BSC018NE2LSI Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS 下载
BSC018NE2LSIATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET LV POWER MOS 下载
BSC018NE2LSIXT Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS 下载
关于BSC018NE2LSI相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
BSC018NE2LSI 、 BSC018NE2LSIATMA1 下载文档
BSC018NE2LSIXT 下载文档
BSC018NE2LSI资料比对:
型号 BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1
描述 MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS MOSFET LV POWER MOS
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 GREEN, PLASTIC, TDSON-8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数 8 8
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
雪崩能效等级(Eas) 45 mJ 45 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V 25 V
最大漏极电流 (ID) 29 A 29 A
最大漏源导通电阻 0.0024 Ω 0.0024 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 5 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 400 A 400 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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