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BR24T32FVM-WTR

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器件名 厂商 描 述 功能
BR24T32FVM-WTR ROHM(罗姆半导体) Operational Amplifiers - Op Amps 36-V CMOS Amplifier 下载
BR24T32FVM-WTR的相关参数为:

器件描述

Operational Amplifiers - Op Amps 36-V CMOS Amplifier

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明VSSOP, TSSOP8,.16
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time11 weeks
Samacsys DescriptionROHM BR24T32FVM-WTR EEPROM Memory, 32kbit, 1.6 → 5.5 V MSOP 8-Pin
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度2.9 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSSOP
封装等效代码TSSOP8,.16
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.9 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
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