| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BL3402 | Galaxy Microelectronics | , Diodes, Single, N, N, 1.4W, 30W, ±12V | 下载 |
| BL3402-3L | Galaxy Microelectronics | , Diodes, Single, N, N, 1.4W, 30W, ±12V | 下载 |
, Diodes, Single, N, N, 1.4W, 30W, ±12V
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.055 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 15 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 类别 | 分立半导体 |
| Channel Polarity | N |
| ESD | N |
| Max PD(W) | 1.4 |
| Min PD(W) | 30 |
| Max VGS (V) | ±12 |
| Max ID(A) | 4 |
| Max IGSS(uA) | ±0.1 |
| Max VGS(th) (V) | 1.4 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ | 45 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max | 55 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 4.5V Typ | 55 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 4.5V Max | 70 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 2.5V Typ | 83 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 2.5V Max | 110 |
| AEC Qualified | NO |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| MSL等级 | 3 |
| 是否无铅 | Yes |
| 符合Reach | Yes |
| 符合RoHS | Yes |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Package Outlines | SOT-23 |
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