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ATF-55143-TR2G

在3个相关元器件中,ATF-55143-TR2G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
ATF-55143-TR2G AVAGO transistors RF jfet transistor gaas single voltage 下载
ATF-55143-TR2G HP(Keysight) RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN 下载
ATF-55143-TR2G Broadcom(博通) RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN 下载
ATF-55143-TR2G的相关参数为:

器件描述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Broadcom(博通)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.1 A
最大漏极电流 (ID)0.1 A
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.27 W
最小功率增益 (Gp)15.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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