| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| AT28C040-25LI | Atmel (Microchip) | 512K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDFP32 | 下载 |
| AT28C040-25LI | Microchip(微芯科技) | IC EEPROM 4M PARALLEL 44CLCC | 下载 |
| AT28C040-25LISL703 | Atmel (Microchip) | 512K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDFP32 | 下载 |
| 型号 | AT28C040-25LISL703 | AT28C040-25LI |
|---|---|---|
| 描述 | 512K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDFP32 | 512K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDFP32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | LCC | LCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC44,.65SQ | QCCN, LCC44,.65SQ |
| 针数 | 44 | 44 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A991.B.1.B.1 |
| 最长访问时间 | 250 ns | 250 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE |
| 命令用户界面 | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N44 | S-CQCC-N44 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 16.55 mm | 16.55 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 44 | 44 |
| 字数 | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C |
| 组织 | 512KX8 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC44,.65SQ | LCC44,.65SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 256 words | 256 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 240 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.74 mm | 2.74 mm |
| 最大待机电流 | 0.003 A | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 切换位 | YES | YES |
| 宽度 | 16.55 mm | 16.55 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms |
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