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APTM100H45STG

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器件名 厂商 描 述 功能
APTM100H45STG Microsemi Full bridge Series & parallel diodes MOSFET Power Module 下载
APTM100H45STG的相关参数为:

器件描述

Full bridge Series & parallel diodes MOSFET Power Module

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
针数14
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)2500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.54 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X14
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量14
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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