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830S21AMI-01LF

eeworld网站中关于830S21AMI-01LF有4个元器件。有830S21AMI-01LF、830S21AMI-01LF等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
830S21AMI-01LF IDT(艾迪悌) Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 下载
830S21AMI-01LF IDT (Integrated Device Technology) SOIC-8, Tube 下载
830S21AMI-01LFT IDT(艾迪悌) Translation - Voltage Levels 1 OUT DIFF-TO-LVTTL BUFFER W/ OE 下载
830S21AMI-01LFT IDT (Integrated Device Technology) SOIC-8, Reel 下载
关于830S21AMI-01LF相关文档资料:
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830S21AMI-01LF 、 830S21AMI-01LFT 下载文档
830S21AMI-01LF资料比对:
型号 830S21AMI-01LFT 830S21AMI-01LF
描述 SOIC-8, Reel SOIC-8, Tube
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 3.9 X 4.9 MM, 1.375 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8 SOP, SOP8,.25
针数 8 8
制造商包装代码 DCG8 DCG8
Reach Compliance Code compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 IT ALSO OPERATES AT 3.3 V IT ALSO OPERATES AT 3.3 V
最大延迟 2 ns 2 ns
接口集成电路类型 LVCMOS/LVTTL TO LVHSTL TRANSLATOR LVCMOS/LVTTL TO LVHSTL TRANSLATOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3
长度 4.9 mm 4.9 mm
湿度敏感等级 1 1
位数 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE
输出锁存器或寄存器 NONE NONE
输出极性 TRUE TRUE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm
最大供电电压 2.625 V 2.625 V
最小供电电压 2.375 V 2.375 V
标称供电电压 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
宽度 3.9 mm 3.9 mm
Base Number Matches 1 1
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