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71V65703S80BGG

eeworld网站中关于71V65703S80BGG有6个元器件。有71V65703S80BGG、71V65703S80BGG等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
71V65703S80BGG IDT(艾迪悌) SRAM 9M ZBT SLOW X36 F/T 3.3V 下载
71V65703S80BGG IDT (Integrated Device Technology) PBGA-119, Tray 下载
71V65703S80BGG8 IDT(艾迪悌) SRAM 9M ZBT SLOW X36 F/T 3.3V 下载
71V65703S80BGG8 IDT (Integrated Device Technology) PBGA-119, Reel 下载
71V65703S80BGGI IDT (Integrated Device Technology) ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119 下载
71V65703S80BGGI8 IDT (Integrated Device Technology) ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100 下载
关于71V65703S80BGG相关文档资料:
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71V65703S80BGG 、 71V65703S80BGG8 下载文档
71V65703S80BGGI8 下载文档
71V65703S80BGGI 下载文档
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71V65703S80BGG资料比对:
型号 71V65703S80BGG 71V65703S80BGG8
描述 PBGA-119, Tray PBGA-119, Reel
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 PBGA PBGA
包装说明 BGA, BGA,
针数 119 119
制造商包装代码 BGG119 BGG119
Reach Compliance Code compliant compliant
最长访问时间 8 ns 8 ns
其他特性 FLOW-THROUGH FLOW-THROUGH
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e1 e1
内存密度 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 36 36
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 119 119
字数 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 256KX36 256KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
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