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7140LA35L48B

在3个相关元器件中,7140LA35L48B有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
7140LA35L48B IDT (Integrated Device Technology) SRAM 8K(1KX8)CMOS DUALPORT RAM 下载
7140LA35L48B IDT(艾迪悌) IC sram 8kbit 35ns 48lcc 下载
7140LA35L48B8 IDT (Integrated Device Technology) Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48 下载
7140LA35L48B的相关参数为:

器件描述

SRAM 8K(1KX8)CMOS DUALPORT RAM

参数
参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCN, LCC48,.56SQ,40
针数48
制造商包装代码LC48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQCC-N48
JESD-609代码e0
长度14.3002 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC48,.56SQ,40
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度3.048 mm
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.016 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14.3002 mm
Base Number Matches1
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