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71124S15YGI

在5个相关元器件中,71124S15YGI有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
71124S15YGI IDT(艾迪悌) Sram 128kx8 asynchronous 5.0V static ram 下载
71124S15YGI IDT (Integrated Device Technology) SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM 下载
71124S15YGI Rochester Electronics 128KX8 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO32, 0.400 INCH, GREEN, PLASTIC, SOJ-32 下载
71124S15YGI8 IDT(艾迪悌) SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM 下载
71124S15YGI8 IDT (Integrated Device Technology) SOJ-32, Reel 下载
71124S15YGI的相关参数为:

器件描述

SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

参数
参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ32,.44
针数32
制造商包装代码PBG32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID4653759
Samacsys Pin Count32
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameSO32-3
Samacsys Released Date2020-02-05 14:14:30
Is SamacsysN
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e3
长度20.955 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.683 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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