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2SJ621

eeworld网站中关于2SJ621有11个元器件。有2SJ621、2SJ621等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
2SJ621 NEC ( Renesas ) MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 下载
2SJ621 Renesas(瑞萨电子) 3500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN 下载
2SJ621 NEC(日电) Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN 下载
2SJ621_15 Renesas(瑞萨电子) P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING 下载
2SJ621-A Renesas(瑞萨电子) 3500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN 下载
2SJ621-A NEC(日电) Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN 下载
2SJ621-L Renesas(瑞萨电子) 2SJ621-L 下载
2SJ621-L-AT Renesas(瑞萨电子) TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,3.5A I(D),SOT-346 下载
2SJ621-T1B-A Renesas(瑞萨电子) Pch Single Power MOSFET -12V -3.5A 44mohm TMM/SC-96 下载
2SJ621-T1B-AT Renesas(瑞萨电子) Pch Single Power MOSFET -12V -3.5A 44mohm TMM/SC-96 下载
2SJ621-T2B Renesas(瑞萨电子) 2SJ621-T2B 下载
关于2SJ621相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
2SJ621 、 2SJ621-A 、 2SJ621-L 、 2SJ621-L-AT 、 2SJ621-T1B-A 、 2SJ621-T1B-AT 、 2SJ621-T2B 下载文档
2SJ621_15 下载文档
2SJ621-A 下载文档
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2SJ621 下载文档
2SJ621资料比对:
型号 2SJ621-T2B 2SJ621 2SJ621-A 2SJ621-L 2SJ621-L-AT 2SJ621-T1B-A 2SJ621-T1B-AT
描述 2SJ621-T2B 3500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN 3500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN 2SJ621-L TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,3.5A I(D),SOT-346 Pch Single Power MOSFET -12V -3.5A 44mohm TMM/SC-96 Pch Single Power MOSFET -12V -3.5A 44mohm TMM/SC-96
Reach Compliance Code unknown compli compli unknown compli compli compli
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
包装说明 , PLASTIC, SC-96, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 , - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 THIN, MINIMOLD, SC-96, 3 PIN
是否无铅 - 含铅 不含铅 - - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 不符合 符合 - 符合 符合 符合
零件包装代码 - SC-96 SC-96 - - TMM TMM
针数 - 3 3 - - 3 3
ECCN代码 - EAR99 EAR99 - - EAR99 EAR99
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 12 V 12 V - - 12 V 12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 3.5 A 3.5 A - 3.5 A 3.5 A 3.5 A
最大漏极电流 (ID) - 3.5 A 3.5 A - - 3.5 A 3.5 A
最大漏源导通电阻 - 0.062 Ω 0.062 Ω - - 0.062 Ω 0.062 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 - 1 1 - - 1 1
端子数量 - 3 3 - - 3 3
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED 260 - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - P-CHANNEL P-CHANNEL - P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 1.25 W 1.25 W - 1.25 W 1.25 W 1.25 W
表面贴装 - YES YES - YES YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING - - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL - - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING - - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON - - SILICON SILICON
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