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2SJ529L-E.

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器件名 厂商 描 述 功能
2SJ529L-E Renata SA silicon P channel mos fet 下载
2SJ529L-E Renesas(瑞萨电子) Pch Single Power MOSFET -60V -10A 160mohm DPAK(L)-(2)/TO-251 下载
2SJ529L-E.的相关参数为:

器件描述

Pch Single Power MOSFET -60V -10A 160mohm DPAK(L)-(2)/TO-251

参数
参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DPAK(L)-(2)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数4
制造商包装代码PRSS0004ZD-B4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID532752
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryTransistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint NamePRSS0004ZD-B
Samacsys Released Date2020-01-28 11:25:15
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN BISMUTH
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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