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2SJ529L-E

产品描述Pch Single Power MOSFET -60V -10A 160mohm DPAK(L)-(2)/TO-251
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SJ529L-E概述

Pch Single Power MOSFET -60V -10A 160mohm DPAK(L)-(2)/TO-251

2SJ529L-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DPAK(L)-(2)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数4
制造商包装代码PRSS0004ZD-B4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID532752
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryTransistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint NamePRSS0004ZD-B
Samacsys Released Date2020-01-28 11:25:15
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN BISMUTH
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1
st
, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas
Electronics Corporation
took over all the business of both
companies.
Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas
Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website:
http://www.renesas.com
April 1
st
, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation
(http://www.renesas.com)
Send any inquiries to
http://www.renesas.com/inquiry.

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