| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 2SAR522MT2L | ROHM(罗姆半导体) | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor | 下载 |
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SC-105 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 13 weeks |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 20 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN COPPER |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 350 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved