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25AA512T-I/MF

eeworld网站中关于25AA512T-I/MF有2个元器件。有25AA512T-I-MF、25AA512T-I/MF等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
25AA512T-I-MF Microchip(微芯科技) EEPROM 512k 64KX8 1.8V SER EE IND 下载
25AA512T-I/MF Microchip(微芯科技) 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 下载
关于25AA512T-I/MF相关文档资料:
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25AA512T-I/MF 、 25AA512T-I/P 、 25AA512T-I/SM 、 25AA512T-I/SN16KVAO 下载文档
25AA512T-I-MF 、 25AA512T-I-SM 下载文档
25AA512T-I/SN 下载文档
25AA512T-I/MF资料比对:
型号 25AA512T-I/MF 25AA512T-I/P 25AA512T-I/SM 25AA512T-I/SN16KVAO
描述 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 EEPROM, 512KX1, Serial, CMOS, PDSO8
内存宽度 8 8 8 1
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
组织 64KX8 64K X 8 64KX8 512KX1
表面贴装 YES Yes YES YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
包装说明 DFN-8 - SOIJ-8 SOP,
Reach Compliance Code compli - compli compliant
最大时钟频率 (fCLK) 20 MHz - 20 MHz 20 MHz
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
长度 6 mm - 5.26 mm 4.9 mm
内存密度 524288 bi - 524288 bi 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM EEPROM
字数 65536 words - 65536 words 524288 words
字数代码 64000 - 64000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON - SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL - SERIAL SERIAL
座面最大高度 1 mm - 2.03 mm 1.75 mm
串行总线类型 SPI - SPI SPI
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 5 V
技术 CMOS - CMOS CMOS
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm
宽度 5 mm - 5.25 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms - 5 ms 5 ms
Base Number Matches 1 - 1 1
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