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24LC32AF-E/SN

eeworld网站中关于24LC32AF-E/SN有2个元器件。有24LC32AF-E/SN、24LC32AF-E-SN等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
24LC32AF-E/SN Microchip(微芯科技) 4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 下载
24LC32AF-E-SN Microchip(微芯科技) EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE EXT 1/4AWP 下载
关于24LC32AF-E/SN相关文档资料:
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24LC32AF-E/SN资料比对:
型号 24LC32AF-E/OT 24LC32AF-E/P 24LC32AF-E/SN 24LC32AF-E/ST
描述 4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
表面贴装 Yes NO YES YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
温度等级 INDUSTRIAL AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
内存宽度 8 8 8 8
组织 4K X 8 4KX8 4KX8 4KX8
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合
零件包装代码 - DIP SOIC SOIC
包装说明 - 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8
针数 - 8 8 8
Reach Compliance Code - compli compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time - 20 weeks 20 weeks 7 weeks
最大时钟频率 (fCLK) - 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 - 100 100 100
耐久性 - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 - 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 - R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 - e3 e3 e3
长度 - 9.271 mm 4.9 mm 4.4 mm
内存密度 - 32768 bi 32768 bi 32768 bi
内存集成电路类型 - EEPROM EEPROM EEPROM
字数 - 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 - 4000 4000 4000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - DIP SOP TSSOP
封装等效代码 - DIP8,.3 SOP8,.25 TSSOP8,.19
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 - SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) - NOT APPLICABLE 260 260
电源 - 3/5 V 3/5 V 3/5 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 5.334 mm 1.75 mm 1.2 mm
串行总线类型 - I2C I2C I2C
最大待机电流 - 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 - 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) - 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 5 V
技术 - CMOS CMOS CMOS
端子面层 - Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子节距 - 2.54 mm 1.27 mm 0.65 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT APPLICABLE 40 40
宽度 - 7.62 mm 3.9 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) - 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 - HARDWARE HARDWARE HARDWARE
Base Number Matches - 1 1 1
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