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1N6663US

在2个相关元器件中,1N6663US有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
1N6663US Microsemi Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, 下载
1N6663US/TR Microsemi 整流器 下载
1N6663US的相关参数为:

器件描述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35,

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.5 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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器件入口   0O 3Q 6V IL J1 JY KW NC O1 PZ RF S4 TC XI XV

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