PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | 强茂(PANJIT) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 234 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.55 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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