M14D128168A-1.8BG2M,M14D128168A-1.8BG2M pdf中文资料,M14D128168A-1.8BG2M引脚图,M14D128168A-1.8BG2M电路-Datasheet-电子工程世界

M14D128168A-1.8BG2M: 产品描述DDR DRAM, 8MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小1018KB，共59页; 制造商台湾晶豪(ESMT); 官网地址http://www.esmt.com.tw/; 晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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M14D128168A-1.8BG2M概述

DDR DRAM, 8MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84

参数名称	属性值
包装说明	TFBGA,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.35 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

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