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LND16N60

产品描述漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小1MB,共9页
制造商龙腾半导体(LONTEN)
官网地址http://www.lonten.cc
龙腾半导体有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发及销售于一体的高新技术企业。公司视技术创新为企业发展的核心竞争力,建有国内一流水准的研发中心及应用测试实验室。公司通过ISO9001-2015质量体系认证,在功率半导体器件设计及应用领域申请83项专利。 公司建有国内一流水准的研发中心及实验室。公司推出的超结功率场效应管(Super Junction VDMOS、Shielding Gate VDMOS)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)等系列产品具有高能效、高可靠性及高性价比的优点,已在计算机及服务器电源、LED驱动电源、充电器、适配器、TV板卡电源等多个领域得到广泛应用;在新能源汽车充电桩、车载充电机、汽车电机驱动、光伏逆变器、工业变频器、UPS、电焊机市场等领域持续增长。
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LND16N60概述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W(Tc) 类型:N沟道

LND16N60规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻500mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)44W(Tc)
类型N沟道
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