深圳市金誉半导体有限公司，是深圳市金誉半导体集团旗下生产制造工厂，主要生产半导体分立件、MOS管、通用集成电路。公司主要产品有TO、SOD、SOT、SOP、TSSOP系列。热情为广大客户提供半导体封装加工测试服务，工厂设备先进，环境优美，注重员工的能力提升和培养，通过全体人员多年持之以恒的努力，已经发展成为中国最大的半导体生产制造基地之一。
| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BAT54A | 金誉(HT) | —— |
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| BSS123 SA | 金誉(HT) | —— |
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| RB520S-30 B | 金誉(HT) | —— |
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| SS8550 | 金誉(HT) | —— |
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| MMBTA92 | 金誉(HT) | —— |
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| SS8050 | 金誉(HT) | —— |
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| MMBTA42 | 金誉(HT) | —— |
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| TL432-0.5% | 金誉(HT) | 输出电压（最小值/固定）：1.25V 输出电流：100mA 输出电压（最大值）：15V 输出类型：可编 ... | 下载 |
| TL432-1% | 金誉(HT) | 输出电压（最小值/固定）：1.25V 输出电流：100mA 输出电压（最大值）：15V 输出类型：可编 ... | 下载 |
| B5817W | 金誉(HT) | 直流反向耐压（Vr）：20V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：450mV @ 1A 20V,1A,VF=0.45 ... | 下载 |
| BAS16 | 金誉(HT) | 反向恢复时间（trr）：6ns 直流反向耐压（Vr）：75V 平均整流电流（Io）：150mA 正向压降（Vf）：1.2 ... | 下载 |
| MMBT3906 | 金誉(HT) | 额定功率：200mW 集电极电流Ic：200mA 集射极击穿电压Vce：40V 晶体管类型：PNP PNP ... | 下载 |
| BC847A | 金誉(HT) | 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：45V 晶体管类型：NPN ... | 下载 |
| S9013 | 金誉(HT) | 晶体管类型：NPN 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：25V 额定功率：300mW . ... | 下载 |
| TL431N-0.5% | 金誉(HT) | 输出电压（最小值/固定）：2.495V 输出电流：100mA 输出电压（最大值）：36V 输出类型：可调 ... | 下载 |
| MMBT3904 | 金誉(HT) | 额定功率：200mW 集电极电流Ic：200mA 集射极击穿电压Vce：40V 晶体管类型：NPN NPN ... | 下载 |
| BAV70 | 金誉(HT) | 反向恢复时间（trr）：6ns 直流反向耐压（Vr）：70V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.2 ... | 下载 |
| MMBTA44 | 金誉(HT) | 额定功率：350mW 集电极电流Ic：200mA 集射极击穿电压Vce：400V 晶体管类型：NPN ... | 下载 |
| BAT54C | 金誉(HT) | 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1V @ 100mA ... | 下载 |
| MMBT5401 | 金誉(HT) | 晶体管类型：PNP 集电极电流Ic：600mA 集射极击穿电压Vce：150V 额定功率：300mW . ... | 下载 |
| S9018 | 金誉(HT) | 晶体管类型：NPN 集电极电流Ic：50mA 集射极击穿电压Vce：15V 额定功率：200mW . ... | 下载 |
| MMBT5551 | 金誉(HT) | 晶体管类型：NPN 集电极电流Ic：600mA 集射极击穿电压Vce：160V 额定功率：300mW . ... | 下载 |
| B5817WS | 金誉(HT) | 直流反向耐压（Vr）：20V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：450mV @ 1A 20V,1A,VF=0.45 ... | 下载 |
| MMBT2907A | 金誉(HT) | 晶体管类型：PNP 集电极电流Ic：600mA 集射极击穿电压Vce：60V 额定功率：250mW . ... | 下载 |
| MMBT2222A | 金誉(HT) | 晶体管类型：NPN 集电极电流Ic：600mA 集射极击穿电压Vce：40V 额定功率：250mW . ... | 下载 |
| 1N4148W | 金誉(HT) | 反向恢复时间（trr）：4ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：150mA 正向压降（Vf）：1. ... | 下载 |
| 2SD596 | 金誉(HT) | 额定功率：200mW 集电极电流Ic：700mA 集射极击穿电压Vce：25V 晶体管类型：NPN ... | 下载 |
| BAW56 | 金誉(HT) | 反向恢复时间（trr）：6ns 直流反向耐压（Vr）：70V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.2 ... | 下载 |
| S9012 | 金誉(HT) | 额定功率：300mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：25V 晶体管类型：PNP . ... | 下载 |
| 2SB624 | 金誉(HT) | 额定功率：200mW 集电极电流Ic：700mA 集射极击穿电压Vce：25V 晶体管类型：PNP ... | 下载 |
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