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FDZ2553NZ

产品描述Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小152KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FDZ2553NZ概述

Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FDZ2553NZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码BGA
包装说明GRID ARRAY, R-PBGA-B18
针数18
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.6 A
最大漏极电流 (ID)9.6 A
最大漏源导通电阻0.014 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PBGA-B18
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量18
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
我申请一下
:) ,不知道满足什么条件可以申请到~...
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