67 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
67 A, 30 V, 0.0085 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-251AA
参数名称 | 属性值 |
最小击穿电压 | 30 V |
端子数量 | 3 |
加工封装描述 | IPAK-3 |
状态 | Active |
额定雪崩能量 | 240 mJ |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最大漏电流 | 67 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0085 ohm |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
jedec_95_code | TO-251AA |
jesd_30_code | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
操作模式 | ENHANCEMENT MODE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | IN-LINE |
larity_channel_type | N-CHANNEL |
最大漏电流脉冲 | 100 A |
qualification_status | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子涂层 | NOT SPECIFIED |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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