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BC857BDW1T1

产品描述Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BC857BDW1T1概述

Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP

BC857BDW1T1规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SC-88
包装说明CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
针数6
制造商包装代码419B-02
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)220
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.38 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
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