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IRG4PF50WD-201P

产品类别半导体    分立半导体   
文件大小629KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRG4PF50WD-201P在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IRG4PF50WD-201P规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Modules
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max900 V
Continuous Collector Current at 25 C51 A
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247AC-3
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tube
高度
Height
20.7 mm (Max)
长度
Length
15.87 mm (Max)
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
安装风格
Mounting Style
Through Hole
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
25
宽度
Width
5.31 mm (Max)

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PD- 95233
IRG4PF50WDPbF
Lead-Free
www.irf.com
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