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FR30BR02

产品类别分立半导体    二极管   
文件大小675KB,共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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FR30BR02规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-5
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

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FR30A02 thru FR30JR02
Silicon Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 V to 600 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
DO-5 Package
V
RRM
= 50 V - 600 V
I
F
= 30 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive p
p
peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
≤ 100 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
FR30A(R)02 FR30B(R)02 FR30D(R)02 FR30G(R)02 FR30J(R)02 Unit
50
35
50
30
300
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
30
300
-55 to 150
-55 to 150
200
140
200
30
300
-55 to 150
-55 to 150
400
280
400
30
300
-55 to 150
-55 to 150
600
420
600
30
300
-55 to 150
-55 to 150
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 30 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
FR30A(R)02 FR30B(R)02 FR30D(R)02 FR30G(R)02 FR30J(R)02 Unit
1.0
25
10
1.0
25
10
1.0
25
10
1.0
25
10
1.0
25
10
V
μA
mA
Recovery Time
Maximum reverse recovery
time
T
RR
200
200
200
200
250
nS
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction
- case
R
thJC
0.46
0.46
0.46
0.46
0.46
°C/W
Feb 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/fast-recovery-rectifiers/
1

FR30BR02相似产品对比

FR30BR02 FR30AR02 FR30A02 FR30JR02 FR30J02 FR30DR02
描述 Rectifiers 50V 30A REV Leads Fast Recovery Rectifiers 50V 30A Fast Recovery Rectifiers 600V 30A REV Leads Fast Recovery Rectifiers 600V 30A Fast Recovery Rectifiers 200V 30A REV Leads Fast Recovery
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 - - 不含铅
厂商名称 GeneSiC GeneSiC GeneSiC - - GeneSiC
包装说明 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 - - O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant - - compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - - EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY - - FAST RECOVERY
外壳连接 ANODE ANODE CATHODE - - ANODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.4 V 1.4 V 1.4 V - - 1.4 V
JEDEC-95代码 DO-5 DO-5 DO-5 - - DO-5
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 - - O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A - - 300 A
元件数量 1 1 1 - - 1
相数 1 1 1 - - 1
端子数量 1 1 1 - - 1
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C - - 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C - - -40 °C
最大输出电流 30 A 30 A 30 A - - 30 A
封装主体材料 METAL METAL METAL - - METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND - - ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT - - POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 100 V 50 V 50 V - - 200 V
最大反向电流 25 µA 25 µA 25 µA - - 25 µA
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs - - 0.2 µs
表面贴装 NO NO NO - - NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG - - SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER - - UPPER
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