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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFD9210
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IRFD9210

产品描述MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB，共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IRFD9210在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IRFD9210概述

MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp

IRFD9210规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DIP
包装说明IN-LINE, R-PDIP-T3
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）210 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)0.4 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)3.2 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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