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FDB5680

产品描述60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小414KB,共16页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FDB5680概述

60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

FDB5680规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码D2PAK
包装说明D2PAK-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)90 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
最大漏极电流 (ID)40 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FDB5680相似产品对比

FDB5680 FDB5686 FDF5680 FDP5680
描述 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

 
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