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1N6659

产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6659规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-254AA
包装说明S-XSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-XSFM-P3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最大输出电流15 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/616
DEVICES
LEVELS
1N6657
1N6658
1N6659
1N6657R
1N6658R
1N6659R
JAN
JANTX
JANTXV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted) (Per Diode)
Parameters / Test Conditions
Peak Repetitive Reverse Voltage
1N6657, R
1N6658, R
1N6659, R
T
C
= +100°C
Symbol
V
RWM
I
F
I
FSM
R
θjc
Value
100
150
200
15
150
2.3
Unit
Vdc
Adc
A(pk)
°C/W
TO-254
Average Forward Current
(1)
Peak Surge Forward Current
Thermal Resistance - Junction to Case
Note:
(1) Derate @ 300mA/°C above T
C
= 100°C
(2) Pulse Test; 300µS, duty cycle
2%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Breakdown Voltage
(2)
I
R
= 500µAdc
Forward Voltage
(2)
I
F
= 10Adc
I
F
= 20Adc
Reverse Leakage Current
(2)
V
R
= 100V
V
R
= 150V
V
R
= 200V
Reverse Leakage Current
V
R
= 100V, T
C
= +100°C
V
R
= 150V, T
C
= +100°C
V
R
= 200V, T
C
= +100°C
Reverse Recovery Time
I
F
= 1.0A, I
R
= 1A, I
RR
= 100mA
Junction Capacitance
V
R
= 10Vdc, f = 1.0MHz, V
SIG
= 50mV(p-p) max
1N6657, R
1N6658, R
1N6659, R
V
BR
V
F1
V
F2
1N6657, R
1N6658, R
1N6659, R
1N6657, R
1N6658, R
1N6659, R
100
150
200
1.0
1.2
Vdc
1N6657, 1N6658, 1N6659
Symbol
Min.
Max.
Unit
1
2
3
Vdc
I
R1
10
µAdc
1
2
3
1N6657R, 1N6658R, 1N6659R
I
R2
1.0
mAdc
t
rr
C
J
35
150
nS
pF
T4-LDS-0068 Rev. 1 (082207)
Page 1 of 1

1N6659相似产品对比

1N6659 FP55S-2230-CTQ 1N6658R
描述 Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 223ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, 100ppm/Cel, Rectifiers UFR,FRR
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
JESD-609代码 e0 e0 e0
端子数量 3 2 3
封装形状 SQUARE CYLINDRICAL PACKAGE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT Axial FLANGE MOUNT
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
零件包装代码 TO-254AA - TO-254AA
包装说明 S-XSFM-P3 - S-MSFM-P3
针数 3 - 3
Is Samacsys N - N
应用 ULTRA FAST RECOVERY - ULTRA FAST RECOVERY
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-254AA - TO-254AA
JESD-30 代码 S-XSFM-P3 - S-MSFM-P3
最大非重复峰值正向电流 150 A - 250 A
元件数量 2 - 2
相数 1 - 1
最大输出电流 15 A - 10 A
封装主体材料 UNSPECIFIED - METAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V - 150 V
最大反向恢复时间 0.035 µs - 0.035 µs
表面贴装 NO - NO
端子形式 PIN/PEG - PIN/PEG
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 - 1
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引言 尽管电压测量已经单独被用于许多便携式产品估算电池的剩余电量,但是这种方法 可能存在高达 50% 的误差。电池电压和电量之间的关系会随放电率、温度和电池 老化程度而有所不同。例如,相比 ......
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