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2N7002-E3

产品描述MOSFET 60V 0.115A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小185KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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2N7002-E3概述

MOSFET 60V 0.115A

2N7002-E3规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.115 A
最大漏极电流 (ID)0.115 A
最大漏源导通电阻7.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2N7002-E3相似产品对比

2N7002-E3 2N7002\E9 2N7002 2N7002-T1
描述 MOSFET 60V 0.115A MOSFET SOT-23 N-CH 60V 0.25 MOSFET 60V 0.115A 0.2W
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown - unknown compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
配置 SINGLE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V - 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.115 A - 0.115 A 0.115 A
最大漏源导通电阻 7.5 Ω - 7.5 Ω 7.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF - 5 pF 5 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 - e0 e0
元件数量 1 - 1 1
端子数量 3 - 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES - YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
Base Number Matches 1 - 1 1
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