Bipolar Transistors - BJT 1000W -80Vceo
参数名称 | 属性值 |
产品种类 Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
制造商 Manufacturer | Diodes |
RoHS | Details |
安装风格 Mounting Style | SMD/SMT |
封装 / 箱体 Package / Case | SOT-89-3 |
Transistor Polarity | PNP |
Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature | + 150 C |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 63 |
高度 Height | 1.5 mm |
长度 Length | 4.5 mm |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature | - 55 C |
系列 Packaging | Reel |
系列 Packaging | Cut Tape |
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 2500 |
宽度 Width | 2.48 mm |
单位重量 Unit Weight | 0.004603 oz |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved