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VNV49N0413TR: 产品描述Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFET POWER MOSFET; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小349KB，共22页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFET POWER MOSFET

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	ROHS COMPLIANT, SOP-10
针数	10
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
内置保护	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
输入特性	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G10
JESD-609代码	e3
长度	9.4 mm
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	10
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
输出特性	OPEN-DRAIN
输出电流流向	SINK
标称输出峰值电流	49 A
输出极性	TRUE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	250
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.75 mm
表面贴装	YES
技术	MOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
断开时间	24 µs
接通时间	3.8 µs
宽度	7.5 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ