PSMN3R3-80ES127,PSMN3R3-80ES127 pdf中文资料,PSMN3R3-80ES127引脚图,PSMN3R3-80ES127电路-Datasheet-电子工程世界

PSMN3R3-80ES127: 产品描述MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小785KB，共14页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	NXP(恩智浦)
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-262-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V
Id - Continuous Drain Current	120 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Qg - Gate Charge	135 nC
Configuration	Single
系列 Packaging	Tube
Fall Time	44 ns
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	338 W
Rise Time	43 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000
Transistor Type	1 N-Channel
单位重量 Unit Weight	0.084199 oz

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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