参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | QFN |
包装说明 | 3 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, QFN-12 |
针数 | 12 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N12 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 3 mm |
湿度敏感等级 | 1 |
信道数量 | 4 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 12 |
标称断态隔离度 | 56 dB |
最大通态电阻 (Ron) | 2 Ω |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | VQCCN |
封装等效代码 | LCC12,.12SQ,20 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.9 mm |
最大信号电流 | 0.15 A |
最大供电电流 (Isup) | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.6 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
最长断开时间 | 25 ns |
最长接通时间 | 30 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 3 mm |
MAX4734EGC | MAX4734EGC-T | |
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描述 | Multiplexer Switch ICs | |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | QFN | QFN |
包装说明 | 3 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, QFN-12 | 3 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, QFN-12 |
针数 | 12 | 12 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N12 | S-XQCC-N12 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 3 mm | 3 mm |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
信道数量 | 4 | 4 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 12 | 12 |
标称断态隔离度 | 56 dB | 56 dB |
最大通态电阻 (Ron) | 2 Ω | 2 Ω |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | VQCCN | VQCCN |
封装等效代码 | LCC12,.12SQ,20 | LCC12,.12SQ,20 |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 245 |
电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.9 mm | 0.9 mm |
最大信号电流 | 0.15 A | 0.15 A |
最大供电电流 (Isup) | 0.001 mA | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.6 V | 1.6 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES |
最长断开时间 | 25 ns | 25 ns |
最长接通时间 | 30 ns | 30 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3 mm | 3 mm |
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