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IRF7303QPBF

产品描述MOSFET AUTO HEXFET SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小237KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRF7303QPBF概述

MOSFET AUTO HEXFET SO-8

IRF7303QPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明LEAD FREE, SOP-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.9 A
最大漏极电流 (ID)4.9 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF7303QPBF相似产品对比

IRF7303QPBF IRF7303QTRPBF
描述 MOSFET AUTO HEXFET SO-8 MOSFET AUTO HEXFET SO-8
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.9 A 4.9 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
表面贴装 YES YES
Base Number Matches 1 1
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