1N1200A: 产品描述Daughter Cards u0026 OEM Boards Edison Breakout Board; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小774KB，共4页; 制造商GeneSiC; 官网地址http://www.genesicsemi.com/

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1N1200A概述

Daughter Cards u0026 OEM Boards Edison Breakout Board

1N1200A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
厂商名称	GeneSiC
包装说明	O-MUPM-D1
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JEDEC-95代码	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流	240 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
最高工作温度	200 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	12 A
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	10 µA
表面贴装	NO
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
Base Number Matches	1

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1N1199A thru 1N1206AR

Silicon Standard

Recovery Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 50 V to 600 V V

RRM

• Not ESD Sensitive

Note:

1. Standard polarity: Stud is cathode.

2. Reverse polarity (R): Stud is anode.

3. Stud is base.

DO-4 Package

RRM

= 50 V - 600 V

= 12 A

Maximum ratings, at T

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Repetitive peak reverse

voltage

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Continuous forward current

Surge non-repetitive forward

current, Half Sine Wave

Operating temperature

Storage temperature

Symbol

RRM

RMS

F,SM

stg

≤ 150 °C

= 25 °C, t

= 8.3 ms

Conditions

1N1199A(R) 1N1200A(R) 1N1202A(R) 1N1204A(R) 1N1206A(R)

Unit

°C

240

100

240

200

140

200

240

-55 to 150

400

280

400

240

600

420

600

240

-55 to 150 -55 to 150

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Diode forward voltage

Reverse current

Symbol

Conditions

= 12 A, T

= 25 °C

= 50 V, T

= 25 °C

= 50 V, T

= 175 °C

1N1199A(R) 1N1200A(R) 1N1202A(R) 1N1204A(R) 1N1206A(R)

Unit

μA

°C/W

1.1

2.00

1.1

2.00

1.1

2.00

1.1

2.00

1.1

2.00

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction -

case

thJC

Feb 2016

Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/

1N1200A相似产品对比

	1N1200A	1N1204A	1N1202AR	1N1206A	1N1202A
描述	Daughter Cards u0026 OEM Boards Edison Breakout Board			Hand Tools EXTRACTION TOOL	Rectifiers 200V 12A Std. Recovery
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
包装说明	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	CATHODE	CATHODE	ANODE	CATHODE	CATHODE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
JEDEC-95代码	DO-4	DO-4	DO-4	DO-4	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流	240 A	240 A	240 A	240 A	240 A
元件数量	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1
端子数量	1	1	1	1	1
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压	100 V	400 V	200 V	600 V	200 V
最大反向电流	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
厂商名称	GeneSiC	GeneSiC	GeneSiC	GeneSiC	-
Base Number Matches	1	-	1	-	1

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