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US6X4TR

产品描述Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共9页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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US6X4TR概述

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN

US6X4TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)270
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)280 MHz
Base Number Matches1

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US6X4
Low frequency amplifier (30V, 2A)
Datasheet
l
Outline
Parameter
Value
 
SOT-363T
 
 
 
V
CEO
I
C
30V
2A
TUMT6
 
 
 
l
Features
l
Inner circuit
1)High current
2)Low V
CE(sat)
 
V
CE(sat)
: max.370mV
 
at I
C
=1.5A/I
B
=75mA
l
Application
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
l
Packaging specifications
Part No.
Package
SOT-363T
(TUMT6)
Package
size
2021
Taping
code
TR
Basic
Reel size Tape width ordering
(mm)
(mm)
unit.(pcs)
180
8
3000
Marking
US6X4
X04
                                                                                         
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/6
20160824 - Rev.001

 
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