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MBR3530

产品类别分立半导体    二极管   
文件大小773KB,共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBR3530规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.68 V
JEDEC-95代码DO-203AA
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流600 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流1500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

MBR3530相似产品对比

MBR3530 MBR3540R
描述 Schottky Diodes u0026 Rectifiers 40V - 35A Schottky Rectifier
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 GeneSiC GeneSiC
包装说明 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compliant compliant
应用 POWER POWER
外壳连接 CATHODE ANODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.68 V 0.68 V
JEDEC-95代码 DO-203AA DO-203AA
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 600 A 600 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 35 A 35 A
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 30 V 40 V
最大反向电流 1500 µA 1500 µA
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
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