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DS1220Y-100-

产品描述SRAM DS1220Y-100+
产品类别存储   
文件大小181KB,共9页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
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DS1220Y-100-在线购买

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DS1220Y-100-概述

SRAM DS1220Y-100+

DS1220Y-100-规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
SRAM
制造商
Manufacturer
Maxim(美信半导体)
RoHSDetails
Memory Size16 kbit
Organization2 k x 8
Access Time100 ns
接口类型
Interface Type
Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
5.5 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
4.5 V
Supply Current - Max75 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
PDIP-24
Memory TypeSDR
工作温度范围
Operating Temperature Range
0 C to + 70 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
14
类型
Type
Asynchronous
单位重量
Unit Weight
0.131925 oz

DS1220Y-100-相似产品对比

DS1220Y-100- DS1220Y-150 DS1220Y-200
描述 SRAM DS1220Y-100+ NVRAM NVRAM
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
厂商名称 - Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体)
零件包装代码 - DIP DIP
包装说明 - 0.720 INCH,DIP-24 0.720 INCH,DIP-24
针数 - 24 24
Reach Compliance Code - not_compliant not_compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
最长访问时间 - 150 ns 200 ns
其他特性 - 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码 - R-XDMA-P24 R-XDMA-P24
JESD-609代码 - e0 e0
内存密度 - 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 - NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 - 8 8
功能数量 - 1 1
端子数量 - 24 24
字数 - 2048 words 2048 words
字数代码 - 2000 2000
工作模式 - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 - 70 °C 70 °C
组织 - 2KX8 2KX8
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 - DIP DIP
封装等效代码 - DIP24,.6 DIP24,.6
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) - 240 245
电源 - 5 V 5 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 - 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 - 0.075 mA 0.075 mA
最大供电电压 (Vsup) - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) - 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V
表面贴装 - NO NO
技术 - CMOS CMOS
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 - 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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