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IS42S32800G-7BLI-TR

产品描述DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDRAM, 3.3v
产品类别存储   
文件大小800KB,共58页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS42S32800G-7BLI-TR在线购买

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IS42S32800G-7BLI-TR概述

DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDRAM, 3.3v

IS42S32800G-7BLI-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
DRAM
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
RoHSDetails
类型
Type
SDRAM
Data Bus Width32 bit
Organization8 M x 32
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-90
Memory Size256 Mbit
Maximum Clock Frequency143 MHz
Access Time7 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
3 V
Supply Current - Max210 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
系列
Packaging
Reel
Moisture SensitiveYes
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
3.3 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500

IS42S32800G-7BLI-TR相似产品对比

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描述 DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDRAM, 3.3v DRAM 256M 8Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V DRAM 256M 8Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDRAM, 3.3v
产品种类
Product Category
DRAM DRAM DRAM DRAM DRAM
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
RoHS Details Details Details Details No
类型
Type
SDRAM SDRAM SDRAM SDRAM SDRAM
Data Bus Width 32 bit 32 bit 32 bit 32 bit 32 bit
Organization 8 M x 32 8 M x 32 8 M x 32 8 M x 32 8 M x 32
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-90 BGA-90 BGA-90 BGA-90 BGA-90
Memory Size 256 Mbit 256 Mbit 256 Mbit 256 Mbit 256 Mbit
Maximum Clock Frequency 143 MHz 143 MHz 166 MHz 166 MHz 143 MHz
Access Time 7 ns 7 ns 6 ns 6 ns 7 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
Supply Current - Max 210 mA 210 mA 230 mA 230 mA 210 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C 0 C 0 C - 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C + 70 C + 70 C + 85 C + 85 C
系列
Packaging
Reel Tray Tray Reel Tray
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500 240 240 2500 240
Moisture Sensitive Yes - - Yes Yes
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