电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BR24T32-W

产品描述EEPROM
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共37页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BR24T32-W在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BR24T32-W - - 点击查看 点击购买

BR24T32-W概述

EEPROM

BR24T32-W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Codecompliant
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.3 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.21 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

文档预览

下载PDF文档
Datasheet
Serial EEPROM Series Standard EEPROM
I
2
C BUS EEPROM (2-Wire)
BR24T32-W
General Description
BR24T32-W is a serial EEPROM of I C BUS Interface Method
2
Features
Completely conforming to the world standard I C
BUS.
All controls available by 2 ports of serial clock
(SCL) and serial data (SDA)
Other devices than EEPROM can be connected to
the same port, saving microcontroller port
1.6V to 5.5V Single Power Source Operation most
suitable for battery use
1.6V to 5.5V wide limit of operating voltage, possible
FAST MODE 400kHz operation
Page Write Mode useful for initial value write at
factory shipment
Self-timed Programming Cycle
Low Current Consumption
Prevention of Write Mistake
Write (Write Protect) Function added
Prevention of Write Mistake at Low Voltage
More than 1 million write cycles
More than 40 years data retention
Noise filter built in SCL / SDA terminal
Initial delivery state FFh
2
Packages
W(Typ) x D(Typ) x H(Max)
DIP-T8
9.30mm x 6.50mm x 7.10mm
TSSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm
SOP8
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm
TSSOP-B8J
3.00mm x 4.90mm x 1.10mm
SOP-J8
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm
MSOP8
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm
SSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm
VSON008X2030
2.00mm x 3.00mm x 0.60mm
Figure 1.
BR24T32-W
Capacity
Bit Format
Type
BR24T32-W
BR24T32F-W
BR24T32FJ-W
BR24T32FV-W
32Kbit
4K×8
BR24T32FVT-W
BR24T32FVJ-W
BR24T32FVM-W
BR24T32NUX-W
1.6V to 5.5V
TSSOP-B8
TSSOP-B8J
MSOP8
VSON008X2030
Power Source
Voltage
Package
DIP-T8
SOP8
SOP-J8
SSOP-B8
○Product
structure:Silicon monolithic integrated circuit
○This
product has no designed protection against radioactive rays
www.rohm.com
©2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111½14½001
1/33
TSZ02201-0R2R0G100060-1-2
03.Feb.2015 Rev.004

BR24T32-W相似产品对比

BR24T32-W BR24T32FVM-WTR BR24T32NUX-WTR BR24T32FVJ-WE2 BR24T32F-WE2
描述 EEPROM Operational Amplifiers - Op Amps 36-V CMOS Amplifier Fixed Inductors 4.7uH 20% EEPROM Hi-Rel Serial EEPROM of I2C BUS EMI Filter Circuits 100volt 15A SMD Type EMI Suppression Fltr
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 DIP, DIP8,.3 VSSOP, TSSOP8,.16 HVSON, SOLCC8,.11,20 TSSOP, TSSOP8,.19 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
长度 9.3 mm 2.9 mm 3 mm 3 mm 5 mm
内存密度 32768 bit 32768 bit 32768 bit 32768 bit 32768 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 4KX8 4KX8 4KX8 4KX8 4KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP VSSOP HVSON TSSOP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 TSSOP8,.16 SOLCC8,.11,20 TSSOP8,.19 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.8/5 V 1.8/5 V 1.8/5 V 1.8/5 V 1.8/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.21 mm 0.9 mm 0.6 mm 1.1 mm 1.71 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING NO LEAD GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 0.65 mm 0.5 mm 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 2.8 mm 2 mm 3 mm 4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE
Factory Lead Time - 11 weeks 11 weeks 11 weeks 10 weeks
有关keybd_event模拟键盘输入问题
我自己裁剪的平台是ARM+wince4.2 想利用keybd_event模拟键盘输入,可是在我打开的记事本或其他可以输入字符界面,为什么没有我模拟的键盘显示呢?而通过系统自带的软件盘,却能在那些可输入字 ......
泥巴 嵌入式系统
MSP430单片机矩阵键盘驱动LED
1#include<msp430F169.h> 2 //自定义数据结构,方便使用 3 #define uchar unsigned char 4 #define uint unsigned int 5 #define ulong unsigned long 6 /* 7 * 软件延时函数 8 */ ......
Aguilera 微控制器 MCU
自己DIY的调频发射机 转
这是我自己做的调频发射机,发射功率18mW,在天线不大于一米的情况下用收音机接收距离大约20米,效果还不错! http://space.ednchina.com/Upload/Blog/2007/7/24/36394842-6399-47ca-9fc0-8bce ......
程序天使 模拟电子
MiniportAdapterContext是怎么来的
网卡驱动里面很多函数都有这么一个参数,帮助里面写Handle to a resident context area allocated by MiniportInitialize.这个什么意思,在MiniportInitialize里面看不到相关的语句啊. ...
capalh 嵌入式系统
关于锁存器的问题
我想问一下:我需要一个锁存器把数据锁存,并且锁存住的数据不会改变,还要求在锁存器在锁存住数据后,锁存器数据输出端不输出数据,只有在我想让它输出数据的时候再输出;咨询这可以实现吗?谢 ......
hy.rf 嵌入式系统
【智能运动手表】2.搭建开发环境1
本帖最后由 hehung 于 2021-4-18 15:41 编辑 现在开始进入了开发阶段,开发第一步就是搭建开发环境。 1. 首先是下载开发资料,这是必备的,可以到ON的官网(跳转到官网下载页面)以及 ......
hehung 物联网大赛方案集锦

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1745  603  2746  287  1418  46  3  27  57  44 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved