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PZT2222A-T-R

产品描述Bipolar Transistors - BJT TRANS SW TAPE-7
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小65KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PZT2222A-T-R概述

Bipolar Transistors - BJT TRANS SW TAPE-7

PZT2222A-T-R规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-223-4
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max40 V
Collector- Base Voltage VCBO75 V
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Gain Bandwidth Product fT300 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current0.6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min35
高度
Height
1.7 mm
长度
Length
6.7 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1150 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
宽度
Width
3.7 mm
单位重量
Unit Weight
0.003951 oz

PZT2222A-T-R相似产品对比

PZT2222A-T-R PZT2222A-T3
描述 Bipolar Transistors - BJT TRANS SW TAPE-7 Bipolar Transistors - BJT TRANS SW TAPE-13
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
RoHS Details Detailsrszaqtaazzettreqsvxydratfyfvbvrcyxzsb
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-223-4 SOT-223-4
Transistor Polarity NPN NPN
Configuration Single Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V 40 V
Collector- Base Voltage VCBO 75 V 75 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1 V 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz 300 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
Continuous Collector Current 0.6 A 0.6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 35 35
高度
Height
1.7 mm 1.7 mm
长度
Length
6.7 mm 6.7 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C - 65 C
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1150 mW 1150 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000 4000
宽度
Width
3.7 mm 3.7 mm
单位重量
Unit Weight
0.003951 oz 0.003951 oz

 
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