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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RB050L-60DDTE25
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RB050L-60DDTE25

产品描述USB Interface IC USB to Serial UART Enhanced IC QFN-32
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小2MB，共8页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB050L-60DDTE25在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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RB050L-60DDTE25概述

USB Interface IC USB to Serial UART Enhanced IC QFN-32

RB050L-60DDTE25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time41 weeks 6 days
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.56 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流100 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RB050L-60DD
Schottky Barrier Diode
(AEC-Q101 qualified)
Data sheet
　 　 　
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
●
Outline
V
R
I
o
I
FSM
60
3
70
V
A
A
　
　
　
　
　
　
　
　　　
●
Features
High reliability
Small power mold type
Low V
F
●
Application
General rectification
●
Structure
Silicon epitaxial planar
●
Absolute Maximum Ratings (T
a
=25ºC unless otherwise specified)
ec
N
ew om
m
D
es en
ig de
ns d
f
●
Inner Circuit
●
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
180
T
aping Width(mm)
12
Basic Ordering Unit(pcs)
1500
T
aping Code
TE25
Marking
43
Parameter
Symbol
V
RM
V
R
I
o
I
o
Conditions
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Duty
≦
0.5
Reverse direct voltage
or
Limits
60
60
3
2
70
-
-
150
-40
½
150
Unit
V
V
A
A
A
℃
℃
Average rectified forward current
Average rectified forward current
Glass epoxy mounted
、
60Hz half sin waveform
、
resistive load
、
T
c
=69
℃
Max.
Glass epoxy mounted
、
60Hz half sin waveform
、
resistive load
ot
R
Peak forward surge current
Junction temperature
(1)
Storage temperature
I
FSM
T
j
T
stg
60Hz half sin waveform
、
Non-repetitive
、
one cycle
、
T
a
=25
℃
N
Note(1) T avoid occurrence of thermal runaway
，
actual board is to be designed to fulfill dP
d
/dT
j
<1/R
th(j-a)
.
o
●
Characteristics (T
a
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Attention
Symbol
V
F1
V
F2
I
R
Conditions
I
F
=2A
I
F
=3A
V
R
=60V
Min. Typ. Max. Unit
-
-
-
-
-
-
0.52
0.56
100
V
V
μA
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
　
　 　 　 　
　
　 　
　
2017/05/10_Rev.001

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