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IRS21844PBF

产品描述MOSFET
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小531KB,共30页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRS21844PBF概述

MOSFET

IRS21844PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
Samacsys DescriptionHALF-BRIDGE DRIVER
内置保护TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码R-PDIP-T14
长度19.305 mm
功能数量1
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出电流流向SOURCE AND SINK
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
最大供电电压20 V
最小供电电压10 V
标称供电电压15 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间0.4 µs
接通时间0.9 µs
宽度7.62 mm

IRS21844PBF相似产品对比

IRS21844PBF IRS21844SPBF
描述 MOSFET MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 DIP, DIP14,.3 SOP, SOP14,.25
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
内置保护 TRANSIENT; UNDER VOLTAGE TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型 HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14
长度 19.305 mm 8.65 mm
功能数量 1 1
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
输出电流流向 SOURCE AND SINK SOURCE AND SINK
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装等效代码 DIP14,.3 SOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 15 V 15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm 1.75 mm
最大供电电压 20 V 20 V
最小供电电压 10 V 10 V
标称供电电压 15 V 15 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
断开时间 0.4 µs 0.4 µs
接通时间 0.9 µs 0.9 µs
宽度 7.62 mm 3.9 mm
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