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74LVQ08TTR

产品描述Logic Gates Quad 2-Input AND
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小175KB,共11页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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74LVQ08TTR概述

Logic Gates Quad 2-Input AND

74LVQ08TTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSSOP
包装说明TSSOP-14
针数14
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
系列LVQ
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e4
长度5 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I(ol)0.024 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP14,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup10.5 ns
传播延迟(tpd)15 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度4.4 mm
Base Number Matches1

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74LVQ08
LOW VOLTAGE CMOS QUAD 2-INPUT AND GATE
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
HIGH SPEED:
t
PD
= 5.6 ns (TYP.) at V
CC
= 3.3 V
COMPATIBLE WITH TTL OUTPUTS
LOW POWER DISSIPATION:
I
CC
= 2µA(MAX.) at T
A
=25°C
LOW NOISE:
V
OLP
= 0.3V (TYP.) at V
CC
= 3.3V
75Ω TRANSMISSION LINE DRIVING
CAPABILITY
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:
|I
OH
| = I
OL
= 12 mA (MIN) at V
CC
= 3.0 V
PCI BUS LEVELS GUARANTEED AT 24 mA
BALANCED PROPAGATION DELAYS:
t
PLH
t
PHL
OPERATING VOLTAGE RANGE:
V
CC
(OPR) = 2V to 3.6V (1.2V Data Retention)
PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH
74 SERIES 08
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY
SOP
TSSOP
Table 1: Order Codes
PACKAGE
SOP
TSSOP
DESCRIPTION
The 74LVQ08 is a low voltage CMOS QUAD
2-INPUT AND GATE fabricated with sub-micron
silicon gate and double-layer metal wiring C
2
MOS
Figure 1: Pin Connection And IEC Logic Symbols
O
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
technology. It is ideal for low power and low noise
3.3V applications.
The internal circuit is composed of 2 stages
including buffer output, which enables high noise
immunity and stable output.
All inputs and outputs are equipped with
protection circuits against static discharge, giving
them 2KV ESD immunity and transient excess
voltage.
P
te
le
od
r
74LVQ08MTR
74LVQ08TTR
s)
t(
uc
T&R
July 2004
Rev. 5
1/11

 
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