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FPF2C8P2NL07A

产品描述IGBT Transistors
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小2MB,共12页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FPF2C8P2NL07A概述

IGBT Transistors

FPF2C8P2NL07A规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Modules
制造商
Manufacturer
Fairchild
RoHSDetails
产品
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration3-Phase
Collector- Emitter Voltage VCEO Max650 V, 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage2.13 V, 2.49 V
Continuous Collector Current at 25 C30 A, 50 A
Gate-Emitter Leakage Current2 uA, 2 uA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
135 W, 174 W
封装 / 箱体
Package / Case
F2
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tray
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
安装风格
Mounting Style
Through Hole
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
14
单位重量
Unit Weight
1.587328 oz

 
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