IGBT Transistors
参数名称 | 属性值 |
产品种类 Product Category | IGBT Modules |
制造商 Manufacturer | Fairchild |
RoHS | Details |
产品 Product | IGBT Silicon Modules |
Configuration | 3-Phase |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V, 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.13 V, 2.49 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 30 A, 50 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 2 uA, 2 uA |
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 135 W, 174 W |
封装 / 箱体 Package / Case | F2 |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature | + 150 C |
系列 Packaging | Tray |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/- 20 V |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature | - 40 C |
安装风格 Mounting Style | Through Hole |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 14 |
单位重量 Unit Weight | 1.587328 oz |
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