MJE18004D2G
High Speed, High Gain
Bipolar NPN Power
Transistor
with Integrated Collector−Emitter Diode
and Built−in Efficient Antisaturation
Network
The MJE18004D2 is state−of−art High Speed High gain BIPolar
transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot
minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for
light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an
h
FE
window.
It’s characteristics make it also suitable for PFC application.
Features
http://onsemi.com
POWER TRANSISTORS
5 AMPERES,
1000 VOLTS, 75 WATTS
•
Low Base Drive Requirement
•
High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ I
C
= 100 mA
•
Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the
•
•
•
•
H2BIP Structure which Minimizes the Spread
Integrated Collector−Emitter Free Wheeling Diode
Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V
CE(sat)
“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter
Spreads
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
Rating
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
J
, T
stg
R
qJC
R
qJA
T
L
Value
450
1000
1000
12
5
10
2
4
75
0.6
– 65 to 150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W/°C
°C
1
2
3
MARKING
DIAGRAM
4
18004D2G
AYWW
MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Collector−Emitter Sustaining Voltage
Collector−Base Breakdown Voltage
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
−
Continuous
Collector Current
−
Peak (Note 1)
Base Current
−
Continuous
Base Current
−
Peak (Note 1)
Total Device Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature
TO−220AB
CASE 221A
STYLE 1
18004D2
G
A
Y
WW
= Device Code
= Pb−Free Package
= Assembly Location
= Year
= Work Week
ORDERING INFORMATION
Device
MJE18004D2G
Package
TO−220AB
(Pb−Free)
Shipping
†
50 Units / Rail
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
1.65
62.5
260
_C/W
_C/W
_C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
≤
10%.
*For additional information on our Pb−Free strategy
and soldering details, please download the
ON Semiconductor Soldering and Mounting
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
April, 2010
−
Rev. 6
1
Publication Order Number:
MJE18004D2/D
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 2.5 Vdc)
(I
C
= 2 Adc, V
CE
= 1 Vdc)
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.2 Adc)
(I
C
= 0.8 Adc, I
B
= 40 mAdc)
(I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.4 Adc)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 500 V, V
EB
= 0)
Dynamic Saturation Voltage:
Determined 1
ms
and 3
ms
respectively after rising I
B1
reaches 90% of final I
B1
DC Current Gain (I
C
= 0.8 Adc, V
CE
= 1 Vdc)
Collector−Emitter Saturation Voltage (I
C
= 0.8 Adc, I
B
= 80 mAdc)
Base−Emitter Saturation Voltage (I
C
= 0.8 Adc, I
B
= 80 mAdc)
Emitter−Cutoff Current (V
EB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
Collector Cutoff Current (V
CE
= Rated V
CES
, V
EB
= 0)
Collector Cutoff Current (V
CE
= Rated V
CEO
, I
B
= 0)
Emitter−Base Breakdown Voltage (I
EBO
= 1 mA)
Collector−Base Breakdown Voltage (I
CBO
= 1 mA)
Collector−Emitter Sustaining Voltage (I
C
= 100 mA, L = 25 mH)
(I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.4 Adc)
Characteristic
I
C
= 1 Adc
I
B1
= 100 mA
V
CC
= 300 V
I
C
= 2 Adc
I
B1
= 0.4 A
V
CC
= 300 V
@ 3
ms
@ 1
ms
@ 3
ms
@ 1
ms
http://onsemi.com
MJE18004D2G
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
2
V
CEO(sus)
V
CE(dsat)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
CBO
V
EBO
I
CEO
I
EBO
I
CES
h
FE
1000
Min
450
18
14
15
10
12
−
−
−
−
−
−
−
−
−
6
4
−
−
−
−
1100
0.25
0.28
0.45
0.75
0.38
0.55
Typ
547
1.4
8
3.1
9
0.8
0.7
9
16
28
20
28
14
14
11
18
−
−
−
8
6
0.9
1.6
0.9
0.8
0.75
1
0.5
0.75
Max
100
100
500
100
100
1
0.9
0.5
0.6
1.5
1
0.9
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
mAdc
mAdc
mAdc
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
V
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î
Î
ÎÎÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎ Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load
(V
CC
= 15 V)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.
≤
10%, Pulse Width = 40
ms)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
DIODE CHARACTERISTICS
Forward Recovery Time (I
F
= 0.4 Adc, di/dt = 10 A/ms)
Forward Diode Voltage (I
EC
= 1 Adc)
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Input Capacitance (I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1 MHz)
Output Capacitance (V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1 MHz)
Current Gain Bandwidth (I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1 MHz)
(I
F
= 2 Adc, di/dt = 10 A/ms)
(I
F
= 1 Adc, di/dt = 10 A/ms)
(I
EC
= 2 Adc)
Characteristic
I
C
= 2.5 Adc, I
B1
= 0.5 Adc
I
B2
= 0.5 Adc
V
CC
= 300 Vdc
I
C
= 2.5 Adc, I
B1
= 0.5 Adc
I
B2
= 1 Adc
V
CC
= 250 Vdc
I
C
= 2 Adc, I
B1
= 0.4 Adc
I
B2
= 1 Adc
V
CC
= 300 Vdc
I
C
= 1 Adc
I
B1
= 100 mAdc
I
B2
= 500 mAdc
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
I
C
= 2 Adc
I
B1
= 400 mAdc
I
B2
= 400 mAdc
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
I
C
= 2.5 Adc
I
B1
= 500 mAdc
I
B2
= 500 mAdc
V
Z
= 350 V
L
C
= 300
mH
http://onsemi.com
MJE18004D2G
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
3
Symbol
V
EC
C
ob
C
ib
t
on
t
on
t
on
t
off
t
off
t
off
f
T
t
fr
t
c
t
s
t
c
t
s
t
c
t
s
t
f
t
f
t
f
1.85
Min
2.1
1.1
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.7
1.05
2.12
2.6
1.15
1.6
1.15
0.8
0.96
0.72
Typ
70
100
95
230
300
700
355
750
130
300
120
500
100
150
500
450
335
335
440
2.9
−
2.6
60
13
−
75
160
2.15
Max
120
450
150
500
175
150
150
750
750
100
0.9
2.4
2.4
1.3
1.4
1.7
1.5
90
−
−
−
−
MHz
Unit
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ms
ms
V
ms
MJE18004D2G
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
V
CE
= 1 V
hFE, DC CURRENT GAIN
T
J
= - 20°C
hFE, DC CURRENT GAIN
T
J
= 25°C
100
T
J
= 125°C
V
CE
= 5 V
T
J
= 25°C
T
J
= - 20°C
10
10
T
J
= 125°C
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt
3
T
J
= 25°C
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
10
I
C
/I
B
= 5
T
J
= 125°C
5A
2
4A
3A
2A
1
1A
1
T
J
= 25°C
T
J
= - 20°C
0
I
C
= 500 mA
0.01
0.1
1
I
B
, BASE CURRENT (mA)
10
0.1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector−Emitter Saturation
Voltage
10
I
C
/I
B
= 10
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
T
J
= 125°C
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
10
I
C
/I
B
= 20
T
J
= 125°C
T
J
= - 20°C
1
T
J
= 25°C
1
T
J
= 25°C
0.1
0.001
T
J
= - 20°C
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0.1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 5. Collector−Emitter Saturation
Voltage
Figure 6. Collector−Emitter Saturation
Voltage
http://onsemi.com
4
MJE18004D2G
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
10
I
C
/I
B
= 5
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
10
I
C
/I
B
= 10
1
T
J
= - 20°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1
T
J
= - 20°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.1
0.001
1
0.01
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0.1
0.001
1
0.01
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 7. Base−Emitter Saturation Region
Figure 8. Base−Emitter Saturation Region
10
FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)
I
C
/I
B
= 20
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
10
25°C
1
1
T
J
= - 20°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
125°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0.1
0.01
0.1
1
REVERSE EMITTER-COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 9. Base−Emitter Saturation Region
Figure 10. Forward Diode Voltage
C
ib
(pF)
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1000
T
J
= 25°C
f
(test)
= 1 MHz
1200
T
C
= 25°C
BVCER @ ICER = 10 mA
1000
C, CAPACITANCE (pF)
100
C
ob
800
BVCER(sus) @
ICER = 200
mA,
Lc = 25 mH
10
100
BASE-EMITTER RESISTOR (W)
1000
10
1
10
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
600
Figure 11. Capacitance
Figure 12. BVCER = f(R
BE
)
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
